山梨医科大学紀要　第6巻，051-057(1989)

シリコン半導体検出器におけるプラズマ効果の研究 [1]

北原哲夫、伊藤　眞、荻野晃也、牛田恵美子

　表面障壁型シリコン半導体検出器（Si-SBD）は、運動エネルギーが数MeV以上の重イオン検出に際して"プラズマ効果”と称される特異な応答を示す。本研究では、このプラズマ効果を調べるため、京都大学タンデム加速器からのO（酸素）イオンビームを用いてパルスの波高と立ち上がり時間を測定した。Si-SBDへの前面および裏面入射して得た立ち上がり時間からプラズマ時間を導出した。プラズマ時間のエネルギー、阻止能および印加電圧依存性に関して、Seibt達の理論モデルと比較検討した。

キーワード：シリコン半導体検出器、酸素イオン、プラズマ効果、立ち上がり時間



Study of Plasma Effects in Silicon
Semiconductor Detectors [I]

Tetsuo KITAHARA, Shin ITO, Koya OGINO
and Emiko USHIDA.

Silicon surface barrier detectors (Si-SBD's) show characteristic responses called "plasma effects", in detection of heavy ions having kinetic energies above several MeV. In the present work, to investigate the plasma effects, we have measured the height and risetime of pulses using oxygen ion beam from the tandem accelerator of Kyoto University. The plasma times have been derived from the risetimes obtained by the injection into front and/or rear windowr of Si-SBD's. Concerning dependences of the plasma time on energy, stopping power and applied bias, comparisons were made with theoretical model of Seibt et al.



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